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A Fully Integrated 5-GHz CMOS Power Amplifier for IEEE 802.11a WLAN Applications
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  • A Fully Integrated 5-GHz CMOS Power Amplifier for IEEE 802.11a WLAN Applications
  • A Fully Integrated 5-GHz CMOS Power Amplifier for IEEE 802.11a WLAN Applications
저자명
Baek. Sang-Hyun,Park. Chang-Kun,Hong. Song-Cheol
간행물명
Journal of semiconductor technology and science
권/호정보
2007년|7권 2호|pp.98-101 (4 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

A fully integrated 5-GHz CMOS power amplifier for IEEE 802.11a WLAN applications is implemented using $0.18-{mu}m$ CMOS technology. An on-chip transmission-line transformer is used for output matching network and voltage combining. Input balun, inter-stage matching components, output transmission line transformer and RF chokes are fully integrated in the designed amplifier so that no external components are required. The power amplifier occupies a total area of $1.7mm{ imes}1.2mm$. At a 3.3-V supply voltage, the amplifier exhibits a 22.6-dBm output 1-dB compression point, 23.8-dBm saturated output power, 25-dB power gain. The measured power added efficiency (PAE) is 20.1 % at max. peak, 18.8% at P1dB. When 54 Mbps/64 QAM OFDM signal is applied, the PA delivers 12dBm of average power at the EVM of -25dB.