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GBN/SSN 억제를 위한 이종 셀 EBG 구조를 갖는 전원면
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  • GBN/SSN 억제를 위한 이종 셀 EBG 구조를 갖는 전원면
저자명
김동엽,주성호,이해영,Kim. Dong-Yeop,Joo. Sung-Ho,Lee. Hai-Young
간행물명
韓國電磁波學會論文誌
권/호정보
2007년|18권 2호|pp.206-212 (7 pages)
발행정보
한국전자파학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 넓은 영역에서 GBN/SSN 억제 특성을 보이는 이종 셀 EBG 구조를 이용한 새로운 전원면 구조를 제안하였다. 제안된 구조는 -30 dB 이하의 삽입 손실로 정의되는 저지 대역이 GBN의 에너지가 집중적으로 분포하는 수 백 MHz에서 시작하며 약 7.9 GHz의 넓은 대역폭을 갖는다. 본 구조의 특징은 인덕턴스를 강화하는 나선형 연결 선로와 분산적 LC 회로의 주기를 줄이는 이종 셀을 추가한 것이다. 그 결과 -30 dB 저지 대역의 저주파에서의 차단 주파수가 낮아짐은 물론 대역폭이 넓어진 특성을 보였다. 또한, 전원면과 접지면 사이의 구조적 공진 모드가 현격히 억제되었으며 평행판 도파관에 비해 낮은 EMI 특성을 보였다.

기타언어초록

In this paper, a novel power/ground plane using the hybrid-cell electromagnetic band-gap(EBG) structure is proposed for the wide-band suppression of the ground bound noise(GBN) or simultaneous switching noise(SSN). The -30 dB stopband of the proposed structure starts from a few hundred MHz where the GBN/SSN energy is dominant. The distinctive features of this new structure are the thin spiral strip line and hybrid-cells. They realize the enhanced inductance and the shorter period of the EBG lattice. As a result, the lower cut-off frequency and bandwidth of the -30 dB stopband becomes lower and wider, respectively. In addition, the proposed structure has smaller number of resonance modes between power/ground planes and performs a low EMI behavior compared with the reference board.