[ $V_{2}O_{5}$ ] 박막의 성장특성을 분석하기 위해 RF 스퍼터링 시스템으로 C-Si 기판에 10 %와 0 %의 산소 분압비로 시료를 제작하였다. 구조적 특성의 분석을 위해 SBM과 XRD 측정을 실시하였고, 위상변조방식의 분광타원계를 이용하여 $0.75{sim}4.0;eV$ 범위에 걸쳐 타원상수를 측정하였다. 측정된 타원상수 분석을 위해 상용화된 분석용 프로그램인 DeltaPsi2를 이용하여, Double Amorphous 분산관계식으로 최적 맞춤 하였다. SEM과 XRD 측정결과 시료의 표면 및 결정 상태는 비정질임을 확인하였고, 타원상수의 분석에 의해 $V_{2}O_{5}$층의 두께, void비율, 표면 거칠기를 알 수 있었다. 또한 SEM 측정치와 비교한 결과 두 시료의 두께와 표면 거칠기의 결과가 잘 일치함을 확인 하였다.
Optical structure of $V_{2}O_{5}$ thin films were analyzed and confirmed, the films were deposited in oxygen partial pressure 0% and 10% by RF magnetron sputtering system. Measurements of the elliptic constants were made in the range of $0.75{sim}4.0;eV$ by using phase modulated spectroscopic ellipsometer. The elliptic constants of the thin films were analyze by Double Amorphous dispersion relation. The calculated n, k spectra of $V_{2}O_{5}$ layer were obtained over the range of $0.75{sim}4.0;eV$ photon energy. SEM and XRD measurements were also made to validate the ellipsometric analysis and they give good agreement with the structural properties of the films. It was found that optical structure of the $V_{2}O_{5}$ layer has a 3 phase(roughness/film/substrate) and optical absorption properties are greatly depend on the partial pressure of the oxygen.
