- ALD를 이용한 저온에서의 ZnO 박막 증착
- ㆍ 저자명
- 김희수,Kim. H.S.
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 2007년|16권 3호|pp.205-209 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Atomic layer deposition(ALD)를 이용하여 Si와 soda lime glass 기판 위에 ZnO 박막을 증착하였다. 기판의 온도는 비교적 저온인 $130^{circ}C{sim}150^{circ}C$를 채택하였다. 증착결과 단위 cycle 당 $2.72{AA}$이 증착되어 균일한 박막이 증착되었음이 확인되었다. 증착된 박막의 결정성을 X-ray diffraction(XRD)으로 조사해본 결과 비교적 저온에서도 (100)과 (101)방향의 성장이 우세하였다. 또 Auger electron spectroscopy(AES)로 분석해본 결과 불순물이 없는 순도 높은 박막이 성장되었음을 알 수 있었다.
ZnO thin films were deposited on a Si wafer and a soda lime glass using atomic layer deposition(ALD). The substrate temperature were between $130^{circ}C{sim}150^{circ}C$. The deposition rate of the ZnO film was measured to be $2.72{AA}$ per cycle. The films were analyzed using field emission scanning electron microscopy(FESEM), X-ray diffractometer(XRD), and Auger electron spectroscopy(AES). Impurity-free ZnO thin films were obtained and the crystallinity was found to be dependant upon the substrate temperature.