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GaAs/AlGaAs 3-Quantum Well 양자폭포레이저 (Quantum Cascade Lasers)에서 허용되는 에피정밀도를 위한 활성영역 모의실험
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  • GaAs/AlGaAs 3-Quantum Well 양자폭포레이저 (Quantum Cascade Lasers)에서 허용되는 에피정밀도를 위한 활성영역 모의실험
저자명
이혜진,한일기,이정일,김문덕,Lee. Hye-Jin,Han. Il-Ki,Lee. Jung-Il,Kim. Moon-Deock
간행물명
韓國眞空學會誌
권/호정보
2007년|16권 4호|pp.273-278 (6 pages)
발행정보
한국진공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

양자폭포레이저에서 활성영역의 모의실험을 위하여 Runge-Kutta 방법과 shooting 방법을 이용하여 슈뢰딩거 방정식의 해를 구하였다. 활성영역의 두께 변화에 대하여 발진파장, 포논공명 에너지, 분극행렬요소 (dipole matrix element) 등의 특성변화를 관찰하였고, 이로부터 양자폭포레이저를 위한 에피성장에서 허용될 수 있는 최소한의 두께 정밀도를 제안하였다.

기타언어초록

For the simulation of active region in the quantum cascade lasers (QCL), we solved Schrodinger equation utilizing Runge-Kutta method and Shotting method. Wavelength, phonon resonant energy, and dipole matrix element were simulated with the variation of active region thickness. As a result of such simulation, it was suggested the tolerance range of epi-layer thickness error when 3-quantum well QCL structures are grown.