- 전기도금법을 이용하여 형성한 Au-Sn 플립칩 접속부의 미세구조 및 접속저항
- ㆍ 저자명
- 김성규,오태성,Kim. S.K.,Oh. T.S.
- ㆍ 간행물명
- 마이크로전자 및 패키징 학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2008년|15권 4호|pp.9-15 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국마이크로전자및패키징학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
Au와 Sn을 순차적으로 도금한 Au/Sn 범프를 플립칩 본딩하여 Au-Sn 솔더 접속부를 형성 후, 미세구조와 접속저항을 분석하였다. $285^{circ}C$에서 30초간 플립칩 본딩한 Au-Sn 솔더 접속부는 $Au_5Sn$+AuSn lamellar 구조로 이루어져 있으며, 이 시편을 $310^{circ}C$에서 3분간 유지하여 2차 리플로우시 $Au_5Sn$+AuSn interlamellar spacing이 증가하였다. $285^{circ}C$에서 30초간 플립칩 본딩한 Au-Sn 접속부는 15.6 $m{Omega}$/bump의 평균 접속저항을 나타내었으며, 이 시편을 다시 $310^{circ}C$에서 3분간 유지하여 2차 리플로우 한 Au-Sn 접속부는 15.0 $m{Omega}$/bump의 평균 접속저항을 나타내었다.
Microstructure and contact resistance of the Au-Sn solder joints were characterized after flip-chip bonding of the Au/Sn bumps processed by successive electrodeposition of Au and Sn. Microstructure of the Au-Sn solder joints, formed by flip-chip bonding at $285^{circ}C$ for 30 sec, was composed of the $Au_5Sn$+AuSn lamellar structure. The interlamellar spacing of the $Au_5Sn$+AuSn structure increased by reflowing at $310^{circ}C$ for 3 min after flip-chip bonding. While the Au-Sn solder joints formed by flip-chip bonding at $285^{circ}C$ for 30 sec exhibited an average contact resistance of 15.6 $m{Omega}$/bump, the Au-Sn solder joints reflowed at $310^{circ}C$ for 3 min after flip-chip bonding possessed an average contact resistance of 15.0 $m{Omega}$/bump.