Emitter degeneration에 의한 band SiGe HBT 이중 평형형 상향 주파수 혼합기의 선형성 개선 효과를 비교하였다. 시뮬레이션을 통해 출력 전력과 변환 이득을 동시에 고려하여 degeneration 저항값을 최적화 시켰으며 이를 $0.35{mu}m$ Si-BiCMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 제작 및 측정 결과, -5 dBm의 8.0 GHz LO 신호 및 100 MHz의 IF 신호 입력 시, degeneration 저항이 없는 상향 주파수 혼합기는 15.5 dB의 선형 변환 이득과 -13 dBm의 RF 출력 전력 및 3.7 dBm의 $OIP_3$를 나타내었고, degeneration 저항을 사용한 상향 주파수 혼합기는 9 dB의 선형 변환 이득과 -10 dBm의 RF 출력 전력 및 8.7 dBm의 $OIP_3$를 각각 나타내었다.
Effects of the emitter degeneration on linearity have been investigated in SiGe HBT double-balanced up-converters with the Gilbert-cell structure. The emitter-coupled degeneration resistors have been optimized for high P1-dB and IP3 through the nonlinear harmonic-balance simulation. Two types of up-converter MMICs fabricated in $0.35{mu}m$ Si-BiCMOS process were measured to verify the simulation results. The up-converter without the degeneration resistors produces a P1-dB of -13 dBm with an OIP3 of 3.7 dBm, while the up-converter with the degeneration resistors produces a P1-dB of -10 dBm with an OIP3 of 8.7 dBm.
