저전압 SoC용 밴드갭 기준 전압 발생기 회로 설계

저전압 SoC용 밴드갭 기준 전압 발생기 회로 설계

ㆍ 저자명: 이태영,이재형,김종희,심외용,김태훈,박무훈,하판봉,김영희,Lee. Tae-Young,Lee. Jae-Hyung,Kim. Jong-Hee,Shim. Oe-Yong,Kim. Tae-Hoon,Park. Mu-Hun,Ha. Pan-Bon
ㆍ 간행물명: 한국해양정보통신학회논문지
ㆍ 권/호정보: 2008년|12권 1호|pp.137-142 (6 pages)
ㆍ 발행정보: 한국해양정보통신학회
ㆍ 파일정보: 정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야: 기타

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서지반출

기타언어초록

본 논문에서는 $Low-V_T$ 트랜지스터가 필요 없는 로직공정으로 Parasitic NPN BJT를 이용하여 저 전압에서 동작 가능한 밴드갭 기준전압 발생기 회로를 제안하였다. $0.18{mu}m$ triple-well 공정을 사용한 BGR회로를 측정 한 결과 VREF의 평균전압은 0.72V $3{sigma}$는 45.69mV로 양호하게 측정되었다.

기타언어초록

The band-gap reference voltage generator which can be operated by low voltage is proposed in this paper. The proposed BGR circuit can be realized in logic process by using parasitic NPN BJTs because a $Low-V_T$ transistors are not necessary. The proposed BGR circuit is designed and fabricated using $0.18{mu}m$ triple-well process. The mean voltage of measured VREF is 0.72V and the three sigma$(3{sigma})$ is 45.69mv

키워드

Bandgap reference voltage generator Low voltage Minimum supply voltage PVT variation

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