본 논문은 고에너지 전자빔을 이용하여 저궤도 인공위성의 실리콘 태양센서의 내방사선 특성 변화를 분석하였다. 일반적으로 저궤도를 선회하는 위성은 반알렌대를 통과하며, 이 안에서 주기적인 운동으로 남극과 북극을 이동하는 하전입자에 의해 전자부품이 쉽게 손상되고 수명이 단축되는 등 악 영향을 받고 있다. 특히 방사선에 의한 SEU (Single Event Upset) 등은 인공위성에 탑재된 반도체 소자의 오동작 유발의 원인이 되고 있다. 본 논문은 한국원자력 연구원의 고에너지 ($300keV{sim}1MeV$) 전자빔 조사장치를 이용하여 태양전지에 전자빔을 조사하고 이 때 변화되는 각각의 파라미터들에 대한 값을 측정하고자 한다. 이러한 연구는 저궤도 인공위성에서 전력을 생산하기 위해서 사용하는 전력용 태양 전지의 방사능 영향을 이해하는 데도 많은 영향을 줄 수 있을 것으로 기대된다.
This paper analyzes on the radiation effect of silicon solar cells in a low Earth orbit satellite by using high energy electron beams. Generally, the satellite circling round in a low orbit go through Van Allen belt, in which electronic components are easily damaged and shortened by charged particles moving in a cycle between the South Pole and the North Pole. For example, Single Event Upset (SEU) by radiation could cause electronic devices on satellite to malfunction. From the ground experiment in which we used the high energy electron beam facility at Knrea Atomic Energy Research Institute (KAERI), we tried to explain sun sensor degradations on orbit could he caused by high energy electrons. While we focused on the solar cells used for light detectors, We convince our research also contributes to understand the radiation effect of solar cells generating electric powers on satellites.
