기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
서지반출
DFT를 이용한 $eta-FeSi_2$/Si (001) 에피택셜 계면 연구
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • DFT를 이용한 $eta-FeSi_2$/Si (001) 에피택셜 계면 연구
저자명
황규철,김대희,오현철,임지혜,김영철,Hwang. Kyu-Cheol,Kim. Dae-Hee,Oh. Hyun-Chul,Rim. Ji-Hye,Kim. Yeong-Cheol
간행물명
반도체및디스플레이장비학회지
권/호정보
2008년|7권 2호|pp.45-48 (4 pages)
발행정보
한국반도체및디스플레이장비학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

An epitaxial $eta-FeSi_2$ structure on Si (001) substrate was calculated by using density functional theory (DFT). Unit cell of orthorhombic $eta-FeSi_2$ and $sqrt{2} imessqrt{2} imes2$ supercell were calculated to find the energetically favorable structures first. The $chi$- and y-direction axes of $eta-FeSi_2$ were changed into y- and z-direction axes to match its structure with that of Si, to minimize the lattice mismatch between $eta-FeSi_2$ and Si. Distance between the Si (001) surface and the $eta-FeSi_2$ surface was varied to find an optimum distance between them, resulting in 0.825 $AA$.