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고압용 X7R 적층 칩 캐패시터의 Er2O3 및 유리프릿 첨가에 따른 전기적 특성
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  • 고압용 X7R 적층 칩 캐패시터의 Er2O3 및 유리프릿 첨가에 따른 전기적 특성
저자명
윤중락,김민기,정태석,우병철,이석원,Yoon. Jung-Rag,Kim. Min-Kee,Chung. Tae-Seog,Woo. Byoung-Chul,Lee. Seog-Won
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2008년|21권 5호|pp.440-446 (7 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

To manufacture the MLCC with X7R for high voltage stability, $BaTiO_3-MgO-MnO_2-Y_2O_3$ with $(Ba_{0.4}Ca_{0.6})SiO_3$ glass frit was formulated. Based on this composition, the addition of $Er_2O_3$ showed that TCC(Temperature Coefficient Capacitance) at $85^{circ}C$ was improved from 5 % to ${sim}0;%$, but the dielectric constant and IR (Insulation Resistance) were decreased. The glass frit improved the dielectric constant and IR, so the appropriate contents of $Er_2O_3$ and glass frit were 0.6 mol% and 1 wt%, respectively. It showed that the dielectric constant and RC constant were 2,550 and 2,000 (${Omega}F$), respectively in the sintering condition at $1250^{circ}C$ in PO2 $10^{-7}$ Mpa. The MLCC with $3.2{ imes}1.6$ (mm) size and $1;{mu}F$ was also suited for X7R with the above composition.