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무전해 도금법을 이용한 Sn-Cu 범프 형성에 관한 연구
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  • 무전해 도금법을 이용한 Sn-Cu 범프 형성에 관한 연구
저자명
문윤성,이재호,Moon. Yun-Sung,Lee. Jae-Ho
간행물명
마이크로전자 및 패키징 학회지
권/호정보
2008년|15권 2호|pp.17-21 (5 pages)
발행정보
한국마이크로전자및패키징학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Sn-Cu계 솔더 범프에서 무전해도금법을 이용한 범프 형성에 대한 연구를 하였다. $20{mu}m$ via에 전기도금법으로 구리를 채운 웨이퍼 위에 ball형태의 범프를 형성하기 위하여 구리와 주석을 도금하여 약 $10{mu}m$높이의 범프를 형성하였다. 구리 범프 형성 시 via위에 선택적으로 도금하기 위하여 활성화 처리 후 산세처리를 실시하고 무전해 도금액에 안정제를 첨가하였다. 무전해도금법을 이용하여 주석 범프 형성 시 도금층이 구리 범프에 비해 표면의 균일도가 벌어지는 것으로 관찰되었지만 reflow공정을 실시한 후 ball 형태의 균일한 Sn-Cu 범프를 형성하였다.

기타언어초록

The electroless plating of copper and tin were investigated for the fabrication of Sn-Cu bump. Copper and tin were electroless plated in series on $20{mu}m$ diameter copper via to form approximately $10{mu}m$ height bump. In electroless copper plating, acid cleaning and stabilizer addition promoted the selectivity of bath on the copper via. In electroless tin plating, the coating thickness of tin was less uniform relative to that of electroless copper, however the size of Sn-Cu bump were uniform after reflow process.