- 높은 이동도 특성을 가지는 Strained-Si-on-insulator (sSOI) MOSFETs
- ㆍ 저자명
- 김관수,조원주,Kim. Kwan-Su,Cho. Won-Ju
- ㆍ 간행물명
- 전기전자재료학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 2008년|21권 8호|pp.695-698 (4 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전기전자재료학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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We investigated the characteristics of Strained-Si-on-Insulator (sSOI) MOSFETs with 0.7% tensile strain. The sSOI MOSFETs have superior subthreshold swing under 70 mV/dec and output current. Especially, the electron and hole were increased in sSOI MOSFET. The electron and hole mobility in sSOI MOSFET were 286$cm^2/Vs$ and 151$cm^2/Vs$, respectively. The carrier mobility enhancement is due to the subband splitting by 0.7% tensile strain.