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초광대역 전이 구조를 이용한 다이오드 검파기 설계
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  • 초광대역 전이 구조를 이용한 다이오드 검파기 설계
저자명
김인복,김영곤,김태규,김강욱,Kim. In-Bok,Kim. Young-Gon,Kim. Tae-Gyu,Kim. Kang-Wook
간행물명
韓國電磁波學會論文誌
권/호정보
2008년|19권 8호|pp.814-819 (6 pages)
발행정보
한국전자파학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 두 개의 초광대역 전이 구조를 이용한 다이오드 검파기의 설계 과정을 처음으로 소개하고, 이를 제작하여 측정한 결과를 소개한다. 제안된 검파기에서는 두 개의 초광대역 전이 구조를 입 출력단의 정합 회로로 사용하였다. 검파기 회로 구현시 일반 쇼트키 다이오드 및 무 바이어스 쇼트키 다이오드를 사용하여 각각 검파기를 구현하고, 그 성능을 비교하였다. 일반 쇼트키 다이오드를 사용하여 제작된 검파기는 11 GHz에서 20 GHz까지의 주파수 대역에서 10 dB 이상의 반사 손실을 가지며, 제작된 검파기의 감도는 30 mV/mW이었다. 또한, 무 바이어스 쇼트키 다이오드를 사용한 검파기의 경우, 측정된 검파기의 감도는 300 mV/mW로서 훨씬 증가하였다.

기타언어초록

In this paper, a design of broadband detectors utilizing two ultra-wideband transitions is described for the first time, and the implementation method and measurement results of the detectors are provided. Two ultra-wideband transitions are used for input/output matching circuits for the diode detectors. Two detectors have been implemented using general Schottky diodes and zero-bias Schottky diodes. With general Schottky diodes, the fabricated detector provides less than 10 dB return loss from 11 GHz to 20 GHz, and the detector sensitivity is 30 mV/mW. The detector with zero-bias Schottky diodes shows significantly higher detection sensitivity(300 mV/mW).