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Radio Frequency Plasma Power변화에 따른 ITO 특성 및 OLED의 광학적 특성
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  • Radio Frequency Plasma Power변화에 따른 ITO 특성 및 OLED의 광학적 특성
저자명
기현철,김회종,홍경진,김은미,구할본,Ki. Hyun-Chul,Kim. Hwe-Jong,Hong. Kyung-Jin,Kim. En-Mei,Gu. Hal-Bon
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2009년|22권 1호|pp.81-85 (5 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

We has been analysed optical properties of OLED(organic light emitting diode) and characteristics of ITO(Indium Tin Oxide) in terms of $O_2$ plasma treatment for manufacturing high efficiency OLED, RF power of $O_2$ plasma was changed 25, 50, 100, 200 W. $O_2$ gas flow, gas pressure and treatment time were fixed. Sheet resistance and surface roughness of ITO were measured by Hall-effect measurement system and AFM, respectively. The ranges of sheet resistance and surface roughness were $5.5{sim}6,06;{Omega}$ and $2.438{sim}3.506;nm$ changing of RF power, respectively, PM(Passive Matrix)OLED was fabricated with the structure of ITO(plasm treatment)/TPD($400;{AA}$)/$Alq_3(600;{AA})$/LiF($5;{AA}$)/Al($1200;{AA}$). Turn-on voltage of PMOLED was 7 V and luminance was $7,371;cd/m^2$ at the RF power of 25 W, $O_2$ plasma treatment of ITO surface was result in lowering the operating voltage and improving luminance of PMOLED.