본 논문에서는 새로운 고조파 조절 회로를 이용한 Si LDMOSFET 고효율 전력증폭기를 구현하였다. 본 고조파 조절 회로는 2차, 3차 고조파 성분에 대하여 단락 임피던스를 갖으며, 입출력 정합 회로를 설계하기 위하여 사용된다. 제안된 고조파 조절 회로의 효율 개선 효과가 class-F 혹은 inverse class-F 고조파 조절 회로 보다 우수하다는 것을 증명하였다. 또한, 고조파 조절 회로가 출력 정합 회로뿐만 아니라, 입력 정합 회로에도 사용될 경우, 제안된 전력증폭기의 효율은 더욱 더 개선된다. 제안된 전력증폭기의 최대 전력 효율 (PAE)의 측정값은 1.71 GHz의 주파수 대역에서 82.68%이다. Class-F와 inverse class-F 전력증폭기와 비교할 때, 제안된 전력증폭기의 최대 PAE 측정값은 $5.08;{sim};9.91;%$ 향상된다.
In this paper, a novel harmonic control circuit has been proposed for the design of high-efficiency power amplifier with Si LDMOSFET. The proposed harmonic control circuit haying the short impedances for the second- and third-harmonic components has been used to design the in/output matching network. The efficiency enhancement effect of the proposed harmonic control circuit is superior to the class-F or inverse class-F harmonic control circuit. Also, when the proposed harmonic control circuit has been adapted to the input matching network as well as the output matching network, the of ficiency enhancement effect of the proposed power amplifier has increased all the more. The measured maximum power added efficiency (PAE) of the proposed power amplifier is 82.68% at 1.71GHz band. Compared with class-F and inverse class-F amplifiers, the measured maximum PAE of the proposed power amplifier has increased in $5.08{sim}9.91%$.
