기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
서지반출
반도체 나노 패터닝 구현 재료: Spin 코팅 Hardmask용 유기실리콘 및 고탄소 물질
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • 반도체 나노 패터닝 구현 재료: Spin 코팅 Hardmask용 유기실리콘 및 고탄소 물질
  • Materials for Nano Patterning in Semiconductor Fabrication; Organosilicon and High Carbon-containing Materials for Spin Coating Hardmask
저자명
조현모,전환승,김상균,장두원,김종섭,Cho. Hyeon-Mo,Cheon. Hwan-Sung,Kim. Sang-Kyun,Chang. Tu-Won,Kim. Jong-Seob
간행물명
고분자 과학과 기술
권/호정보
2009년|20권 5호|pp.472-480 (9 pages)
발행정보
한국고분자학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

반도체 미세화가 진행되면서, 이를 성공하기 위해 많은 재료물질이 요구되어진다. 이 중 미세 패턴의 붕괴를 막고 깊은 패턴을 새기기 위해서 필요한 hardmask 재료가 있다. Hardmask는 유기실리콘 재료와 탄소 함량이 높은 재료로 주로 구성되고, 이들은 193 nm 빛과 관련된 광학적 특성을 가지면서 특정 플라즈마에 대한 에치 저항성을 가지는 물성을 가지도록 디자인/합성/배합되어져 있다. 또한, 접합되는 다른 박막과의 compatibility및 용매에 대한 solubility 등이 적절해야만 나노미터 수준의 defect 없는 패턴을 구현할 수 있다.