본 논문은 다이오드 클램프형 3-레벨 IGBT 인버터에 적용 가능한 새로운 방식의 과전압 방지 스너버에 관한 것이다. 일반적으로 전력변환장치는 스위칭 소자에 발생하는 과전압을 감소시키기 위해 스너버 회로를 포함하고 있다. 하지만 다이오드 클램프형 멀티레벨 인버터는 스위칭 소자가 직렬로 연결되어 있기 때문에 과전압 방지 스너버를 구성하기 힘든 문제점이 있다. 본 논문에서는 스텝-다운 DC-DC 컨버터에 적용 가능한 과전압 방지 스너버의 특성을 이용하여 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터에 과전압 방지 스너버를 구성하려 할 때 발생하는 문제점을 분석하고 분석 결과를 토대로 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터에 적용할 수 있는 새로운 구조의 스너버를 제안하였다. 제안한 방식에 대한 특성을 해석하였고, 실험을 통하여 효용성을 입증하였다.
This paper deals with a new overvoltage snubber for a diode-clamped 3-level IGBT inverter. Usually most power converters use snubber circuits to protect the switching devices from voltage spike. However, it is difficult for the diode-clamped multi-level converter to be protected from voltage spike with overvoltage snubber since the series connection of the switching devices. To solve the problem the characteristic of a overvoltage snubber for a DC-DC converter is analyzed, and a new snubber for a diode clamped 3-level inverter is proposed. The performance of the proposed snubber is verified through experiments.
