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Electrical Spin Transport in n-Doped In0.53Ga0.47As Channels
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  • Electrical Spin Transport in n-Doped In0.53Ga0.47As Channels
  • Electrical Spin Transport in n-Doped In0.53Ga0.47As Channels
저자명
Park. Youn-Ho,Koo. Hyun-Cheol,Kim. Kyung-Ho,Kim. Hyung-Jun,Han. Suk-Hee
간행물명
Journal of magnetics
권/호정보
2009년|14권 1호|pp.23-26 (4 pages)
발행정보
한국자기학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Spin injection from a ferromagnet into an n-doped $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ channel was electrically detected by a ferromagnetic detector. At T = 20 K, using non-local and local spin-valve measurements, a non-local signal of $2;{mu}V$ and a local spin valve signal of 0.041% were observed when the bias current was 1 mA. The band calculation and Shubnikov-de Haas oscillation measurement in a bulk channel showed that the gate controlled spin-orbit interaction was not large enough to control the spin precession but it could be a worthy candidate for a logic device using spin accumulation and diffusion.