6H-SiC 전자 및 정공의 이온화계수로부터 유효이온화계수를 추출하여 6H-SiC PN 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 표현식을 유도하였다. 해석적 모형으로부터 구한 항복전압을 $10^{15}{sim}10^{18};cm^{-3}$의 도핑 농도 범위에서 실험 결과와 비교하여 10% 이내의 오차로 일치하였고, 농도 함수의 온-저항의 해석적 결과도 $5{ imes}10^{15}{sim}10^{16};cm^{-3}$의 범위에서 이미 발표된 수치적 결과와 매우 잘 일치하였다.
Analytical expressions for breakdown voltage and specific on-resistance of 6H-SiC PN diodes have been derived successfully by extracting an effective ionization coefficient from ionization coefficients for electron and hole in 6H-SiC. The breakdown voltages induced from our analytical model are compared with experimental results. The variation of specific on-resistance as a function of doping concentration is also compared with the one reported previously. Good fits with experimental results are found for the breakdown voltage within 10% in error for the doping concentration in the range of $10^{15}{sim}10^{18}cm^{-3}$. The analytic results show good agreement with the numerical data for the specific on-resistance in the region of $5{ imes}10^{15}{sim}10^{16}cm^{-3}$.
