- 이리듐 합성물 기반의 인광 고분자 발광 소자
- ㆍ 저자명
- 김성진,Kim. Sung-Jin
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 2009년|18권 4호|pp.254-258 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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순방향 전압에서 안정적인 전류 흐름을 가지고 낮은 turn-on 전압으로 구동하는 이리듐 합성물 기반의 인광 고분자 발광 다이오드를 제작하였다. Poly(N-vinylcabazole)와 tris(2-phenylpyridine)iridium 재료를 포함하는 유기 발광층은 $10{mu}m$/s 와 $20{mu}m$m/s의 저속도 dip-coating으로 만들었다. 제안한 방법으로 형성된 유기 발광 다이오드는 100 cd/$m^2$의 기준 휘도에서 각각 5.8 V와 6.7 V로 구동이 되었지만, 발광층을 스핀코팅으로 제작된 소자는 다소 높은 전압인 9.1 V를 기록하였다. 본 연구는 대면적, 용액 공정 기반의 고효율 특성을 요구하는 유기 발광 소자에서 발광층의 새로운 박막 형성기술로 이용될 수 있다.
We herein report on polymer phosphorescent light-emitting devices doped with iridium complex. The emitting layer of poly(N-vinylcabazole) and tris(2-phenylpyridine)iridium was fabricated by low speed dip-coating of 10, $20{mu}m$/s. The devices showed stable current increasing leakage current at turn-on voltage. Compared to conventional spin-coating based organic light-emitting devices, the driving voltage by dip-coating observed lower values of 5.8 and 6.7 V at the luminance of 100 Cd/$cm^2$.