OneNAND$^{TM}$와 같이 NAND와 NOR 플래시 메모리의 장점을 혼합한 퓨전 플래시 메모리는 대용량과 빠른 읽기/쓰기 및 XIP(eXecute-In-Place)를 지원하여 고성능 휴대용 임베디드 시스템을 위한 유비쿼터스 저장장치로 각광받고 있다. 또한 OneNAND$^{TM}$는 혼합형 구조의 장점뿐만 아니라 다수의 블록을 한 번에 삭제할 수 있는 다중 블록 삭제 기능을 제공하여 플래시 메모리의 느린 삭제 성능을 향상시켰다. 하지만 기존의 플래시 메모리 주소 변환 계층에서는 다수의 블록을 한 번에 삭제할 수 있다는 점을 고려하지 않고, 소수의 블록들을 가비지 컬렉션의 희생 블록으로 선택하여 삭제하므로 다중 블록 삭제 기능의 효율적인 사용이 어렵다. 본 논문에서는 다중 블록 삭제의 사용을 개선할 수 있는 EGFTL(Erase Group Flash Translation Layer)를 제안한다. EGFTL은 가비지 컬렉션 성능이 뛰어난 Superblock scheme과 다수의 무효 블록들을 관리하는 무효 블록 관리자를 통하여 다수의 블록들을 한 번에 삭제할 수 있도록 한다. 또한 군집형 해시 테이블을 적용하여 Superblock scheme의 주소 변환 성능을 개선하였다. 실험 결과 본 논문에서 제안한 EGFTL이 다른 주소 변환 계층 보다 가비지 컬렉션 성능을 30% 이상 향상시켰으며, Superblock scheme의 주소 변환 성능을 5%이상 향상시켰다.
Fusion flash memory such as OneNAND$^{TM}$ is popular as a ubiquitous storage device for embedded systems because it has advantages of NAND and NOR flash memory that it can support large capacity, fast read/write performance and XIP(eXecute-In-Place). Besides, OneNAND$^{TM}$ provides not only advantages of hybrid structure but also multi-block erase function that improves slow erase performance by erasing the multiple blocks simultaneously. But traditional NAND Flash Translation Layer may not fully support it because the garbage collection of traditional FTL only considers a few block as victim block and erases them. In this paper, we propose an Erase Group Flash Translation Layer for improving multi-block erase function. EGFTL uses a superblock scheme for enhancing garbage collection performance and invalid block management to erase multiple blocks simultaneously. Also, it uses clustered hash table to improve the address translation performance of the superblock scheme. The experimental results show that the garbage collection performance of EGFTL is 30% higher than those of traditional FTLs, and the address translation performance of EGFTL is 5% higher than that of Superblock scheme.
