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3~5 GHz 광대역 저전력 Single-Ended IR-UWB CMOS 수신기
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  • 3~5 GHz 광대역 저전력 Single-Ended IR-UWB CMOS 수신기
저자명
하민철,박병준,박영진,어윤성,Ha. Min-Cheol,Park. Byung-Jun,Park. Young-Jin,Eo. Yun-Seong
간행물명
韓國電磁波學會論文誌
권/호정보
2009년|20권 7호|pp.657-663 (7 pages)
발행정보
한국전자파학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 IR-UWB 통신에 적합한 저전력, 저복잡도의 CMOS RF 수신기를 제작하였다. 제안된 IR-UWB 수신기는 비교적 구조가 간단한 non-coherent demodulation 방식으로 설계, 제작되었다. 설계된 IR-UWB 수신기는 single-ended 2-stage LNA, S2D, envelop detector, VGA, comparator로 구성되어 있으며, 0.18 ${mu}m$ CMOS 공정 기술을 이용하여 단일 칩으로 설계, 제작하였다. 측정 결과 data rate이 1 Mbps 일 때 BER값이 $10^{-3}$ 조건에서 sensitivity는 -80.8 dBm이다. 제작된 단일 칩 CMOS IR-UWB 수신기의 전류 소모는 전압이 1.8 V 일 때, 13 mA이며 23.4 nJ/bit 의 성능을 갖는다.

기타언어초록

A fully integrated single ended IR-UWB receiver is implemented using 0.18 ${mu}m$ CMOS technology. The UWB receiver adopts the non-coherent architecture, which simplifies the RF architecture and reduces power consumption. The receiver consists of single-ended 2-stage LNAs, S2D, envelope detector, VGA, and comparator. The measured results show that sensitivity is -80.8 dBm at 1 Mbps and BER of $10^{-3}$. The receiver uses no external balun and the chip size is only $1.8{ imes}0.9$ mm. The consumed current is very low with 13 mA at 1.8 V supply and the energy per bit performance is 23.4 nJ/bit.