본 논문에서는 음극 및 양극으로 동시에 열 방출을 수행할 수 있는 이중 방열 구조의 Gunn 다이오드를 제작하고 음극 방열 구조를 갖는 Gunn 다이오드와 그 특성 차이를 비교하였다. 제작된 다이오드의 DC 특성 측정 결과, 단일 방열 구조의 경우에는 3 V의 문턱전압과 744 mA의 최대 전류 및 4.8 V의 항복 전압 특성을 나타내었고, 이중 방열 구조 다이오드는 2.5 V의 문턱전압, 778 mA의 최대 전류 및 5 V 이상의 항복전압 특성을 나타내었다.
We fabricated Gunn diodes with a double heat sink which has anode heat sink as well as cathode heat sink for efficient heat dissipation. We compared the DC characteristics of a double heat sink diode with a conventional cathode heat sink Gunn diode. It was shown that the Gunn diode with a single heat sink has the threshold voltage of 3 V, the peak current of 744 mA and the breakdown voltage of 4.8 V. Also, the Gunn diode with a double heat sink showed the threshold voltage of 2.5 V, the peak current of 778 mA and the breakdown voltage over 5 V.
