본 논문에서는 70 nm mHEMT MMIC 기술을 이용한 고이득 W-band 증폭기를 제시한다. W-band에서 고이득 특성을 얻기 위하여 공통 소스 FET의 소스 피드백 라인의 길이를 조절하면 설계 주파수에서 이득이 최대가 되도록 하였다. 이 라인의 길이를 조절하여 94 GHz에서 MAG를 0.8 dB 향상 시킬 수 있음을 시뮬레이션에서 확인하였다. 뿐만 아니라, 이 소스 피드백 라인은 FET의 입력 임피던스도 변화시켜 입력 정합을 용이하게 한다. 이 현상을 이용하여 공통 소스 FET 4단으로 이루어진 w-band 증폭기를 CPW로 설계하였다. 제작된 W-band 증폭기는 측정 결과 70~103 GHz에서 22.0 dB 이상의 아주 우수한 이득 특성을 보였다.
In this paper, a high gain W-band amplifier is presented using 70 run mHEMT MMIC technology. The length of source feedback line of common-source FET is carefully determined to maximize the gain at a design frequency. Simulation shows that MAG can be increased by 0.8 dB by optimizing the length of this line. In addition, this feedback line changes the input impedance of the common-source FET in a way that the input match can be made easier. In this work, 4-stage amplifier is designed on CPW using the source feedback. The measurement shows the excellent gain performance higher than 22.0 dB across 70~103 GHz.
