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불량 예비셀을 고려한 자체 내장 수리연산을 위한 분석 영역 가상화 방법
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  • 불량 예비셀을 고려한 자체 내장 수리연산을 위한 분석 영역 가상화 방법
저자명
정우식,강우헌,강성호,Jeong. Woo-Sik,Kang. Woo-Heon,Kang. Sung-Ho
간행물명
電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체
권/호정보
2010년|47권 12호|pp.24-30 (7 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

수율과 품질을 유지하기 위하여 불량 셀을 예비 셀로 수리하는 방법이 많이 사용되고 있다. 대부분의 메모리가 2차원 예비셀 구조를 갖는 상황에서, 최근의 Giga 용량 메모리의 경우 대부분의 칩에서 예비 셀에도 불량이 존재 한다. 본 논문에서는 예비 셀에 불량이 있는 경우를 고려한 자체 내장 수리연산 시 기존의 모든 자체 내장 수리연산 회로에 적용이 가능한 분석 영역 가상화 방법을 제시하였다. 분석 영역 가상화 방법은 향후 메모리 고용량화에 따른 필수 해결 사항인 에비 셀 불량에 대한 효과적인 대처방안이 될 수 있을 것이다.

기타언어초록

In recent memories, repair is an unavoidable method to maintain its yield and quality. The probability of defect occurence on spare lines has been increased through the growth of the density of recent memories with 2 dimensional spare architecture. In this paper, a new analysis region virtualization scheme is proposed. the analysis region virtualization scheme can be applied with any BIRA (built-in redundancy analysis) algorithms without the loss of their repair rates. The analysis region virtualization scheme can be a viable solution for BIRA considering the faulty spare lines of the future high density memories.