한 셀에 2비트를 저장하는 낸드 플래시 메모리에서는 한 셀에 저장되는 전압의 양을 4-레벨로 나누어 데이터를 구분한다. 이 4-레벨을 낮은 전압부터 각각 E, P1, P2, P3라고 할 때, 인접한 두 셀이 각각 E와 P3 레벨로 저장하게 되면, 통계적으로 이 부분에서 많은 데이터의 오류가 발생한다. 따라서 본 논문에서는 인접한 두 셀의 값이 E와 P3의 패턴이 연속해서 나오지 않게 하는 부호화 방법을 통해 연속된 셀에서 E와 P3가 붙어 나오는 패턴을 제거한다. 본 논문에서는 5심볼과 6심볼의 코드워드일 때의 부호/복호 방법을 소개한다. 5심볼을 만드는 부호화 방법은 입력 데이터가 9비트이며, 패리티는 1비트이고 부호율은 0.9 (9/10) 이다. 또한, 6심볼을 만드는 부호화 방법은 입력 데이터가 11비트 이며, 패리티는 1비트이며, 부호율은 0.916 (11/12) 이다.
In the NAND flash memory storing two bits per cell, data is discriminated among four levels of electrical charges. We refer to these four levels as E, P1, P2, and P3 from the low voltage. In the statistics, many errors occur when E and P3 are stored at the next cells. Therefore, we propose a coding scheme for avoiding E-P3 or P3-E data patterns. We investigate two modulation codes for 9/10 code (9 bit input and 5 symbol codeword) and 11/12 code (11 bit input and 6 symbol codeword).
