Sol-gel법을 적용하여 $12CaO{cdot}7Al_2O_3$(C12A7) 전자화물 박막을 제조하기 위해 CaO-$Al_2O_3$ sol을 제조하여 dip 코팅법을 적용하여 quartz 기판에 박막을 형성하였으며 열처리를 통해 C12A7의 박막을 제조하였다. C12A7 상의 형성 $800^{circ}C$에서 시작되었고 $1,200^{circ}C$ 온도에서 1시간 열처리를 통해 치밀화된 박막을 제조할 수 있었다. 제조된 C12A7 박막은 부도체였지만 수소 환원 분위기 열처리를 통해 전기전도도를 나타내기 시작했으며 $1,200^{circ}C$ 48시간 열처리 시 120 S/cm의 전기전도도를 나타내었다.
The Calcium-aluminate electride thin films on the quartz substrates was coated by sol-gel process. The crystallization of the C12A7 thin film was observed at $800^{circ}C$ and high density C12A7 thin film was achieved on heat treatment at $1,200^{circ}C$ for 1 hour. The reduction heat treatment of C12A7 thin film could be converted from insulator to conductor and the electrical conductivity was 120 S/cm in the C12A7 thin film heat treated at $1,200^{circ}C$ with $H_2$ gas for 48 hours.
