일반적으로 고농도의 암모니아성 질소, 인 및 불소가 동시에 고농도로 함유되어 있는 반도체 폐수를 처리하기 위하여 사전에 불소를 적절한 방법으로 제거하는 것이 매우 중요하다. 이를 위하여 칼슘을 이용한 제거법이 널리 채택되고 있다. 그러나 불소제거를 위하여 주입하는 칼슘은 암모니아성 질소와 인의 제거를 위한 struvite 반응에 저해를 주기 때문에 최대로 제거할 필요가 있다. 따라서 본 연구는 불소와 칼슘이 함유된 폐수를 대상으로 struvite 결정화반응을 수행할 때 미치는 영향 인자에 대하여 알아보았다. 불소 농도가 증가할수록 암모니아성 질소와 인의 제거율이 급격하게 감소하는 것으로 나타났으며, 특히 인이 암모니아성 질소보다 영향을 크게 받는 것으로 나타났다. 또한 폐수중의 칼슘 농도 증가에 따른 영향은 칼슘 농도가 500 mg/L까지 struvite의 결정구조와 일치하였으나 침전물의 순도는 떨어지는 것으로 확인되었고, struvite 반응시 칼슘에 대한 영향은 인보다 암모니아성 질소가 더 크게 받는 것으로 나타났다.
It is very important to remove fluoride ion before treating semiconductor wastewater containing high concentration of ammonia, phosphates, and fluoride ions by struvite formation. Calcium ion was generally added for the removal of fluoride ion. However, calcium ions remained after removal of fluoride ion can deteriorate the performance of struvite crystalization. It should be removed completely before struvite formation. In this study, the effect of fluoride and calcium ion concentration on the struvite crystalization was investigated. Removal efficiencies of ortho-phosphate with struvite formation were more abruptly decreased than those of ammonium nitrogen, as increase of fluoride ion concentration in synthetic wastewater. The structures of struvite formed in synthetic wastewater containing calcium ion of up to 500 mg/L were identical. Purity of struvite was deteriorated as increase of calcium ion over 500 mg/L. Removal efficiencies of ammonium nitrogen were more decreased than those of phosphate ions as increase of cacium ion in synthetic wastewater.
