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자장 여과 아크 이온빔 식각 공정을 이용한 WC-Co 및 SCM415 금속 소재 표면 구조 제어 연구
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  • 자장 여과 아크 이온빔 식각 공정을 이용한 WC-Co 및 SCM415 금속 소재 표면 구조 제어 연구
저자명
이승훈,윤성환,김도근,권정대,김종국,Lee. Seung-Hun,Yoon. Sung-Hwan,Kim. Do-Geun,Kwon. Jung-Dae,Kim. Jong-Kuk
간행물명
한국표면공학회지
권/호정보
2010년|43권 2호|pp.80-85 (6 pages)
발행정보
한국표면공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The surfaces of WC-Co and SCM415 were etched to form a micro size protrusion for oil based ultra low friction applications using an ion bombardment process in a filtered vacuum arc plasma. WC-Co species showed that a self-patterned surface was available by the ion bombarding process due to the difference of sputtering yield of WC and Co. And the increasing rate of roughness was 0.6 nm/min at -600 V substrate bias voltage. The increasing rate of roughness of SCM415 species was 1.5 nm/min at -800 V, but the selfpatterning effect as shown in WC-Co was not appeared. When the SCM415 species pretreated by electrical discharge machining is etched, the increasing rate of roughness increased from 1.5 nm/min to 40 nm/min at -800 V substrate bias voltage and the uniform surface treatment was available.