평판형 rib 도파로의 설계 및 공정기술을 바탕으로 632.8 nm에서 동작하는 집적 마흐젠더 간섭계 센서(Mach-Zehnder interferometric sensor)를 제작하였다. 단일모드와 높은 감도의 두 가지 조건을 고려하여 실리카 계열($SiO_2-SiO_xN_y-SiO_2$) rib 도파로를 설계하였고 박막증착, 사진제판, RIE (Reactive Ion Etching)와 같은 반도체 공정들을 이용해 그 기하학적 구조를 구현하였다. 제작된 rib 도파로의 광출력을 cut-back방법으로 분석한 결과, 약 4.82 dB/cm의 전파손실을 측정하였다. 동시에 크롬 식각방지 층 공정을 도입하여 마흐젠더 간섭계 칩 위에 감지영역(sensing zone)을 형상화할 때 발생하는 코어 층 손상을 방지하였다. 제작된 마흐젠더 간섭계 센서를 이용한 증류수/에탄올 혼합물 굴절률 측정실험을 통해 약 $pi$/($4.04{ imes}10^{-3}$)의 소자 감도(sensitivity)를 최종 확인하였다.
An integrated Mach-Zehnder interferometric sensor operating at 632.8 nm was designed and fabricated by the technology of planar rib waveguides. Rib waveguide based on silica system ($SiO_2-SiO_xN_y-SiO_2$) was geometrically designed to have single mode operation and high sensitivity. It was structured by semiconductor fabrication processes such as thin film deposition, photolithography, and RIE (Reactive Ion Etching). With the power observation, propagation loss measurement by cut-back method showed about 4.82 dB/cm for rib waveguides. Additionally the chromium mask process for an etch stop was employed to solve the core damaging problem in patterning the sensing zone on the chip. Refractive index measurement of water/ethanol mixture with this device finally showed a sensitivity of about $pi$/($4.04{ imes}10^{-3}$).
