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16레벨셀 낸드 플래시 메모리에서 트렐리스 정답 추정 기법을 이용한 최대 유사도 검출기의 성능
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  • 16레벨셀 낸드 플래시 메모리에서 트렐리스 정답 추정 기법을 이용한 최대 유사도 검출기의 성능
저자명
박동혁,이재진,Park. Dong-Hyuk,Lee. Jae-Jin
간행물명
電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신
권/호정보
2010년|47권 7호|pp.1-7 (7 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 16레벨셀 낸드 플래시 메모리 채널에 최대 유사도 검출 방법을 이용하여 데이터를 검출하기 위해 트렐리스의 정답 값을 추정하는 기법에 대해 연구 하였다. 이 기법은 최대유사도 검출기를 사용할 수 있게 되어 성능향상에 도움을 준다. 플래시 메모리는 커플링 효과 때문에 메모리가 있는 채널 모델링이므로, 이미 알고 있는 데이터 열을 훈련 과정을 통해 트렐리스의 정답 값을 추정하여, 이 값을 토대로 최대 유사도 검출한다. 본 실험을 통해 문턱 전압을 이용한 데이터 검출 방법보다 제안한 기법을 이용한 최대 유사도 검출기의 성능이 좋은 것을 보였다.

기타언어초록

In this paper, we use the maximum-likelihood detection by the estimation of trellis targets on the 16-level cell NAND flash memory. This mechanism has a performance gain by using a maximum-likelihood detector. The NAND flash memory channel is a memory channel because of the coupling effect. Thus, we use the known data arrays to finding the targets of trellis. The maximum-likelihood detection by proposed scheme performs better than the threshold detection on the 16-level cell NAND flash memory channel.