- 두 가지 타입의 CuPC FET 전극 구조에서의 전기적 특성
- ㆍ 저자명
- 이원재,이호식,Lee. Won-Jae,Lee. Ho-Shik
- ㆍ 간행물명
- 전기전자재료학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 2011년|24권 12호|pp.988-991 (4 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전기전자재료학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different device structure as a bottom and top contact FET. Also, we used a $SiO_2$ as a gate insulator and analyzed using a current-voltage (I-V) characteristics of the bottom and top contact CuPc FET device. In order to discuss the channel formation, we were observed the capacitance-gate voltage(C-V) characteristics of the bottom and top contact CuPc FET device.