전계 측정시스템에서 센서 감지부로 $1.3{mu}m$ 파장에서 동작하는 대칭/비대칭 구조의 Mach-Zehnder 간섭기를 구현하였다. BPM 전산모사를 통해서 소자를 설계하였고, $LiNbO_3$에 Ti 확산방법으로 구현된 채널 광도파로에 집중전극구조를 배열하여 집적광학 칩을 제작하였다. 대칭 구조로 위상차가 없도록 제작된 소자는 전기신호 200Hz, 1kHZ 구형 파형에서 반 파장전압 $V_{pi}$=6.6V, 변조 깊이 100%, 75%로 각각 측정되었다. 한편 ${pi}$/2 위상차를 갖도록 설계된 비대칭 구조에서는 DC 0V에서 측정된 출력 광세기가 최고치에 약 1//2에 해당됨을 확인하였으며, 1kHz 전기 신호를 인가해서 ${pi}$/2 위상차 때문에 나타나는 전기적 현상들을 확인하였다.
Integrated-optic symmetric/asymmetric Mach-Zehnder interferometers at $1.3{mu}m$ wavelength were studied as sensing part for electric-field measurement system. The devices were simulated based on the BPM software and fabricated utilizing Ti-diffused $LiNbO_3$ channel optical waveguides and lumped-type electrodes. A half-wave voltage of $V_{pi}$=6.6V and modulation depth of 100% and 75% for a symmetric structure were measured for 200Hz and 1kHz electrical signal bandwidth, respectively. By the way, almost half-maximum power transmission was observed for asymmetric interferometers with ${pi}$/2 intrinsic phase difference. Expected experimental measurements were observed for 1kHz electrical signal bandwidth.
