개인 휴대통신의 서비스 대역에 대응하는 4중 대역 p-HEMT SP6T 스위치를 구현하였다. 낮은 삽입손실과 높은 격리특성을 달성하기 위하여, 트랜지스터 단위소자의 최적화를 통해 On-Off간 상호 보완적 관계를 고려하였으며, 특히 송수선간 격리 특성의 경우, 큰 커패시터 삽입을 통하여 우수한 격리 특성을 달성하는 동시에 단일의 전압제어와 백비아를 사용한 접지를 통해 소형화를 달성하였다. 구현된 SP6T 스위치는 $950um{ imes}100um$의 크기를 가지며 공정상 게이트 우물의 오류를 감안할 때, 각 주파수 대역에서 우수한 삽입손실 및 격리특성을 확인 할 수 있었다.
Quad band p-HEMT SP6T switch for handset applications was developed. To achieve the low insertion loss and high isolation, trade-off between "On" state and "Off" state was considered by optimization of unit cell. Especially, in case isolation between transmit port and receive port, it was achieved by large capacitors and miniaturization of chip size was achieved by common voltage control and ground using back via process. Designed SP6T switch has size of $950um{ imes}100um$ and take into consideration the gate recess error, excellent loss and isolation was confirmed in operating frequency.
