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E-대역 상/하향 주파수 변환기용 소형 MMIC 단일 평형 다이오드 혼합기
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  • E-대역 상/하향 주파수 변환기용 소형 MMIC 단일 평형 다이오드 혼합기
저자명
정진철,염인복,Jeong. Jin-Cheol,Yom. In-Bok
간행물명
韓國電磁波學會論文誌
권/호정보
2011년|22권 5호|pp.538-544 (7 pages)
발행정보
한국전자파학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 0.1 ${mu}M$ GaAs p-HEMT 상용 공정을 이용한 E-대역 상/하향 주파수 변환기용 소형 MMIC 단일 평형 다이오드 혼합기를 개발하였다. 본 혼합기에는 LO 발룬을 포함하며 우수한 RF 특성의 Marchand 발룬을 사용하였다. RF 포트와 IF 포트에서는 고역 통과 필터와 저역 통과 필터를 각각 사용하여 포트별 격리도를 향상시켰다. 0.58 $mm^2$(0.85 mm${ imes}$0.68 mm) 칩 크기의 매우 소형으로 제작된 단일 평형 다이오드 혼합기의 측정 결과, 71~86 GHz 주파수 범위에서 10 dBm LO 입력에 대해 삽입 손실이 8~12 dB이고, 입력 P1dB가 1~5 dBm의 결과를 보였다.

기타언어초록

This paper presents a compact single balanced diode mixer fabricated using a 0.1 ${mu}M$ GaAs p-HEMT commercial process for an E-band frequency up/down converter. This mixer includes a LO balun employing a Marchand balun with a good RF performance. In order to improve the port-to-port isolation, a high pass filter and a low pass filter are include in this mixer at the RF and IF ports, respectively. The fabricated mixer with a very compact size of 0.58 mm2(0.85 mm${ imes}$0.68 mm) exhibits a conversion loss of 8~12 dB and an input P1dB of 1~5 dBm at the LO power of 10 dBm from 71~86 GHz.