본 논문은 InGaN/GaN 다중양자우물 구조를 가지는 녹색 발광다이오드의 활성층 내 인듐(In) 조성비와 piezoelectric field에 대한 전계 흡수 현상을 연구하였다. 활성층 내 결정학적 성질과 In 조성비는 double crystal X-ray diffraction 측정으로 분석하였으며, $1{ imes}1;mm^2$ 대면적 칩을 제작하여 발광특성을 조사하였다. 또한, 활성층 내 piezoelectric field는 electro-reflectance spectroscopy로부터 측정한 compensation voltage를 이용해 계산하였고, 인가전압에 따른 photocurrent의 변화를 측정함으로써 녹색 발광 소자의 전기 광학적 특성을 분석하였다.
We investigated the effects of piezoelectric field on the electro-absorption characteristics in InGaN/GaN multiple-quantum well (MQW) green light emitting diodes (LED). Double crystal X-ray diffraction measurement was performed to study the crystalline property and indium (In) composition in the MQW active layer. To measure the electro-luminescence and electro-reflectance (ER) spectroscopy, we fabricated the $1{ imes}1;mm^2$ large-area green LED chip. The piezoelectric field inside the LED structure was evaluated from the Vcomp in active layer by the ER spectra. Finally, we analyzed the electro-absorption characteristics of the green LED by using the photo-current spectroscopy.
