- H-브리지를 이용한 양극성 금속표면 양극산화장치 개발에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 양근호,Yang. Keun-Ho
- ㆍ 간행물명
- 한국전자통신학회 논문지
- ㆍ 권/호정보
- 2011년|6권 3호|pp.355-362 (8 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전자통신학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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본 논문에서는 특정 용액 내에서 전기분해 원리를 이용하여 금속 표면을 산화시켜 절연피막을 형성하는 장치를 개발한다. 기존에는 주로 양극에만 펄스 형태로 전압을 인가하는 단극성(unipolar) 방식이지만 본 논문에서는 H-브리지를 이용하여 양극에 양(+)전압과 음(-)전압을 번갈아 가면서 공급을 하는 양극성(bipolar) 장치를 제작하여 실험하였다. 공급전류 가변은 PWM 변조를 이용하였으며, (+)와 (-)의 극성변화는 H-브리지를 이용하여 양극성 펄스전압을 공급할 수 있도록 하였다. 그 결과로써 단극성보다 균일한 기공을 갖는 피막이 형성되었다.
In this paper, we developed the equipment to forming the insulation film which there are operated an electrolysis principles in particular solution. In the earlier, there are supplied the anode by unipolar voltage with pulse, in this paper, there are supplied the anode by bipolar voltage with pulse, alternately. And then, we examinate the system that there are developed the bipolar anodizing equipment using H-bridge. There are modulated pulse width for the variable current. In the results, we obtained the results of the uniform film surface that compared with the unipolar anodizing.