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Design of UHF CMOS Front-ends for Near-field Communications
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  • Design of UHF CMOS Front-ends for Near-field Communications
  • Design of UHF CMOS Front-ends for Near-field Communications
저자명
Hamedi-Hagh. Sotoudeh,Tabesh. Maryam,Oh. Soo-Seok,Park. Noh-Joon,Park. Dae-Hee
간행물명
Journal of electrical engineering & technology
권/호정보
2011년|6권 6호|pp.817-823 (7 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

This paper introduces an efficient voltage multiplier circuit for improved voltage gain and power efficiency of radio frequency identification (RFID) tags. The multiplier is fully integratable and takes advantage of both passive and active circuits to reduce the required input power while yielding the desired DC voltage. A six-stage voltage multiplier and an ultralow power voltage regulator are designed in a 0.13 ${mu}m$ complementary metal-oxide semiconductor process for 2.45 GHz RFID applications. The minimum required input power for a 1.2 V supply voltage in the case of a 50 ${Omega}$ antenna is -20.45 dBm. The efficiency is 15.95% for a 1 $M{Omega}$ load. The regulator consumes 129 nW DC power and maintains the reference voltage in a 1.1% range with $V_{dd}$ varying from 0.8 to 2 V. The power supply noise rejection of the regulator is 42 dB near a 2.45 GHz frequency and performs better than -32 dB from 100 Hz to 10 GHz frequencies.