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A Fully-Integrated Low Power K-band Radar Transceiver in 130nm CMOS Technology
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  • A Fully-Integrated Low Power K-band Radar Transceiver in 130nm CMOS Technology
  • A Fully-Integrated Low Power K-band Radar Transceiver in 130nm CMOS Technology
저자명
Kim. Seong-Kyun,Cui. Chenglin,Kim. Byung-Sung,Kim. SoYoung
간행물명
Journal of semiconductor technology and science
권/호정보
2012년|12권 4호|pp.426-432 (7 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|ENG|
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주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

A fully-integrated low power K-band radar transceiver in 130 nm CMOS process is presented. It consists of a low-noise amplifier (LNA), a down-conversion mixer, a power amplifier (PA), and a frequency synthesizer with injection locked buffer for driving mixer and PA. The receiver front-end provides a conversion gain of 19 dB. The LNA achieves a power gain of 15 dB and noise figure of 5.4 dB, and the PA has an output power of 9 dBm. The phase noise of VCO is -90 dBc/Hz at 1-MHz offset. The total dc power dissipation of the transceiver is 142 mW and the size of the chip is only $1.2{ imes}1.4mm^2$.