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이층 박막 구조에서 ITO 전극의 레이저 직접 패터닝 시레이저 식각 패턴 중첩 비율의 변화
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  • 이층 박막 구조에서 ITO 전극의 레이저 직접 패터닝 시레이저 식각 패턴 중첩 비율의 변화
저자명
왕건훈,박정철,권상직,조의식,Wang. Jian-Xun,Park. Jung-Cheul,Kwon. Sang-Jik,Cho. Eou-Sik
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2012년|25권 5호|pp.377-380 (4 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Laser direct patterning of indium tin oxide(ITO) is one of new methods of direct etching process to replace the conventional photolithography. A diode pumped Q-switched Nd:$YVO_4$ (${lambda}$= 1,064 nm) laser was used to produce ITO electrode on various transparent oxide semiconductor films such as zinc oxide(ZnO). The laser direct etched ITO patterns on ZnO were compared with those on glass substrate and were considered in terms of the overlapping rate of laser beam. In case of the laser etching on double-layer, it was possible to obtain the higher overlapping rate of laser beam.