본 연구에서는 common source-bulk와 common source-gate 테스트 구조에서 측정된 S-파라미터를 사용하여 multi-finger RF MOSFET의 기판 파라미터들을 정확하게 추출하였다. 이 추출 방법을 바탕으로 세 개의 기판저항을 사용한 비대칭 RF 모델이 하나의 기판저항을 사용한 단순 모델보다 측정된 Y-파라미터 데이터와 더 잘 일치하는 것을 관찰하였으며, 이는 비대칭 기판 모델의 정확도를 증명한다. 또한 비대칭 RF 모델의 시뮬레이션 S-파라미터가 측정 데이터와 20GHz까지 잘 일치하는 것을 확인하였다.
In this study, multi-finger RF MOSFET substrate parameters are accurately extracted by using S-parameters measured from common source-bulk and common source-gate test structures. Using this extraction method, the accuracy of an asymmetrical model with three substrate resistances is verified by observing better agreement with measured Y-parameters than a simple model with a single substrate resistance. The modeled S-parameters of the asymmetrical model also show excellent agreement with measured ones up to 20GHz.
