- Sr 함량이 Cu-doped LSM(La1-xSrxMn0.8Cu0.2O3)의 구조적변화와 전기전도도에 미치는 영향
- ㆍ 저자명
- 류지승,노태민,김진성,이희수,Ryu. Ji-Seung,Noh. Tai-Min,Kim. Jin-Seong,Lee. Hee-Soo
- ㆍ 간행물명
- 한국결정성장학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2012년|22권 2호|pp.78-83 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국결정성장학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
$La_{1-x}Sr_xMn_{0.8}Cu_{0.2}O_{3-{delta}}$(LSMCu)에서 Sr 함량에 따른 구조적 변화와 전기전도도에 대해 연구, 고찰하였다. EDTA citric complexing process(ECCP)로 페로브스카이트 구조를 갖는 $La_{0.8}Sr_{0.2}MnO_3$(LSM)와 $La_{1-x}Sr_xMn_{0.8}Cu_{0.2}O_3$($0.1{leq}x{leq}0.4$)을 제조하였다. Sr 함량이 증가할수록 격자상수와 격자부피는 감소하는 경향을 나타내었으며, 이는 Sr 함량이 증가함에 따라 B-site에서 증가하는 $Mn^{4+}$ 이온과 $Cu^{3+}$ 이온의 영향인 것으로 판단하였다. $0.1{leq}x{leq}0.3$ 범위의 조성에서 Sr 함량이 증가할수록 $500{sim}1000^{circ}C$에서 측정된 전기전도도는 증가하였고, x = 0.3 조성에서는 $750^{circ}C$와 $950^{circ}C$에서 각각 172.6 S/cm와 177.7 S/cm (최고값)를 나타내었다. 반면, x = 0.4 조성에서는 전기전도도가 감소하였는데 이는 입계에 발생한 산화물에 의한 영향으로 판단하였다. Sr 함량이 증가함에 따라 B-site에 존재하는 $Mn^{4+}$ 이온과 $Cu^{3+}$ 이온의 증가로 인해 격자수축이 발생하고, hopping mechanism에 관여하는 charge carrier들이 늘어나 전기전도도가 증가한 것으로 판단하였다.
The structural change and the electrical conductivity with Sr content in $La_{1-x}Sr_xMn_{0.8}Cu_{0.2}O_3$ (LSMCu) were studied. $La_{0.8}Sr_{0.2}MnO_3$ (LSM) and $La_{1-x}Sr_xMn_{0.8}Cu_{0.2}O_3$ ($0.1{leq}x{leq}0.4$) were synthesized by EDTA citric complexing process (ECCP). A decrease in the lattice parameters and lattice volumes was observed with increase of Sr content, and these results were attributed to the increasing $Mn^{4+}$ ions and $Cu^{3+}$ ions in B-site. The electrical conductivity measured from $500^{circ}C$ to $1000^{circ}C$ was increased with increase of Sr content in the $0.1{leq}x{leq}0.3$ composition range, and it was 172.6 S/cm (at $750^{circ}C$) and 177.7 S/cm (at $950^{circ}C$, the maximum value) in x = 0.3. The electrical conductivity was decreased in x = 0.4 because of the presence of the second phase in the grain boundaries. The lattice volume was contracted by increase of $Mn^{4+}$ ions and $Cu^{3+}$ ions in B-site according to increase of Sr content and the electrical conductivity was increased with increase of charge carriers which were involved in the hopping mechanism.