최근 PCM(phase change memory)을 컴퓨터 시스템의 메인메모리로 사용하고자 하는 시도가 늘고 있다. 그러나, PCM은 기존 DRAM 메모리에 비해 쓰기 속도가 8배 이상 느리고 쓰기 횟수 제한이 있는 문제가 있다. 본 논문은 PCM 기반 메모리에 소량의 DRAM을 함께 사용해서 쓰기 연산의 상당 부분을 DRAM이 흡수하는 새로운 기법을 제안하여 이러한 문제를 해결한다. 제안하는 기법은 메모리 쓰기 참조의 특성을 분석하여 미래에 쓰기 참조 가능성이 높은 페이지를 식별하고 이를 DRAM에 보관한다. 운영체제를 통한 소프트웨어적인 관리로 PCM에 전달되는 쓰기 연산의 양을 크게 줄여 기존 DRAM 기반 시스템에 비해 성능 저하가 거의 없으면서 전력 소모를 크게 줄임을 보인다.
Phase change memory (PCM) has emerged as one of the most promising technologies to incorporate into the memory hierarchy. However, PCM has two critical weaknesses compared to DRAM. First, the number of write operations allowed to each PCM cell is limited. Second, write access time of PCM is about 8 times slower than that of DRAM. To cope with this situation, this paper presents a new memory management scheme that uses a small amount of DRAM together with PCM to absorb most memory writes into DRAM. To do this, we analyze the characteristics of memory write references and present a new page replacement scheme that significantly reduces the number of write operations that occur on PCM and also reduces power consumption.
