멀티레벨셀 낸드 플래시 메모리는 한 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장 할 수 있는 기술이다. 현재 2비트를 한 셀에 저장하는 기술만 상용화 되었다. 이는 3비트 이상을 저장하게 되면, 각 레벨의 간격이 좁아져서 데이터의 오류가 많이 발생하는데 이를 극복하기가 어렵다. 오류의 원인으로 여러 가지가 있지만, 그 중에서도 커플링 잡음이 가장 문제가 된다. 따라서 본 논문에서는 4비트를 한 셀에 저장하는 채널에 커플링 잡음을 가정하여 성능의 개선을 실험하였으며, 메모리 공간을 줄이기 위하여 커플링 제거기에 윈도우 크기의 데이터를 활용하여 성능을 비교하였다. 플래시 메모리에서 데이터를 읽는 가장 기본 방법인 문턱 전압 비교 방법을 구현하여 제안한 방법과 성능을 비교 하였다.
Multi-level cell NAND flash is a flash memory technology using multiple levels per cell to allow more bits to be stored. Currently, most multi-level cell NAND stores 2 bits of information per cell. This reduces the amount of margin separating the states and results in the possibility of more errors. The most error cause is coupling noise. Thus, in this paper, we studied coupling noise cancellation scheme for reduction memory on the 16-level cell NAND flash memory channel. Also, we compared the performance threshold detection and proposed scheme.
