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High-Efficiency CMOS Power Amplifier Using Uneven Bias for Wireless LAN Application
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  • High-Efficiency CMOS Power Amplifier Using Uneven Bias for Wireless LAN Application
  • High-Efficiency CMOS Power Amplifier Using Uneven Bias for Wireless LAN Application
저자명
Ryu. Namsik,Jung. Jae-Ho,Jeong. Yongchae
간행물명
ETRI journal
권/호정보
2012년|34권 6호|pp.885-891 (7 pages)
발행정보
한국전자통신연구원
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

This paper proposes a high-efficiency power amplifier (PA) with uneven bias. The proposed amplifier consists of a driver amplifier, power stages of the main amplifier with class AB bias, and an auxiliary amplifier with class C bias. Unlike other CMOS PAs, the amplifier adopts a current-mode transformer-based combiner to reduce the output stage loss and size. As a result, the amplifier can improve the efficiency and reduce the quiescent current. The fully integrated CMOS PA is implemented using the commercial Taiwan Semiconductor Manufacturing Company 0.18-${mu}m$ RF-CMOS process with a supply voltage of 3.3 V. The measured gain, $P_{1dB}$, and efficiency at $P_{1dB}$ are 29 dB, 28.1 dBm, and 37.9%, respectively. When the PA is tested with 54 Mbps of an 802.11g WLAN orthogonal frequency division multiplexing signal, a 25-dB error vector magnitude compliant output power of 22 dBm and a 21.5% efficiency can be obtained.