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Thermal Curing Property of Silicone Encapsulant Containing Quantum Dot Surrounded by Various Types of Ligands
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  • Thermal Curing Property of Silicone Encapsulant Containing Quantum Dot Surrounded by Various Types of Ligands
  • Thermal Curing Property of Silicone Encapsulant Containing Quantum Dot Surrounded by Various Types of Ligands
저자명
Lee. Chae Sung,Kim. BeomJong,Jeon. Seongun,Han. Cheul Jong,Hong. Sung-Kyu
간행물명
Bulletin of the Korean Chemical Society
권/호정보
2013년|34권 12호|pp.3787-3789 (3 pages)
발행정보
대한화학회
파일정보
정기간행물|ENG|
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주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this study, the silicone thermal curing degree of the silicone-encapsulated quantum dot light emission diode was measured using the various types of chemical ligands around quantum dot. It was confirmed that the trioctyl phosphin oxide (TOPO) ligand around the quantum dot was responsible for dispersion of the quantum dot in silicone encapsulant and decline of the thermal curing degree of the silicone encapsulant. Also, it was confirmed that the thermal curing degree of silicone encapsulants containing the steric acid (SA) and the dodecanoic acid (DA) ligands were higher than the one of TOPO ligand.