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0.18 ㎛ CMOS 공정을 이용한 저 전력 1 Ms/s 12-bit 2 단계 저항 열 방식 DAC
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  • 0.18 ㎛ CMOS 공정을 이용한 저 전력 1 Ms/s 12-bit 2 단계 저항 열 방식 DAC
저자명
유명섭,박형구,김홍진,이동수,이성호,이강윤,Yoo. MyungSeob,Park. HyungGu,Kim. HongJim,Lee. DongSoo,Lee. SungHo,Lee. KangYoon
간행물명
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea
권/호정보
2013년|50권 5호|pp.67-74 (8 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문은 무선 센서분야를 위한 1MS/s rate의 저 전력 12-bit 2단계 저항 열 DAC를 제시하고 있다. 2단계 저항 열 구조를 채택함으로써 복잡함을 줄이고, 소비 전력을 최소화 하고 변환속도를 증가 시킬 수 있었다. 이 칩은 $0.18{mu}m$ CMOS 공정에서 제작 되었으며, Die 면적은 $0.76{mu}m{ imes}0.56{mu}m$ 이다. 1.8V의 공급 전압으로부터 측정된 전력 소비는 1.8 mW 이다. 샘플링 주파수가 1MHz 이하에서 측정된 동적 동작범위(Spurious-Free Dynamic Range: SFDR)은 70dB 이다.

기타언어초록

A low-power 12-bit resistor string DAC for wireless sensor applications is presented. Two-step approach reduces complexity, minimizes power consumption and area, and increases speed. This chip is fabricated in 0.18-${mu}m$ CMOS and the die area is $0.76mm{ imes}0.56mm$. The measured power consumption is 1.8mW from the supply voltage of 1.8V. Measured SFDR(Spurious-Free Dynamic Range) is 70dB when the sampling frequency is less than 1 MHz.