본 연구에서는 TiInZnO(TiIZO)를 채널층으로 하는 thin film transistors(TFTs)를 제작하였다. TiIZO 층은 InZnO(IZO)와 Ti target을 이용하여 RF-magnetron co-sputtering system 방식으로 상온에서 증착하였으며, 어떠한 열처리도 하지 않았다. Ti의 첨가가 어떠한 영항을 주는지 연구하기 위해 X-ray diffraction(XRD), X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) 분석을 시행하였으며, 전기적인 특성을 측정하였다. Ti의 첨가는 Ti target의 rf power 변화에 따라 달리하였다. Ti의 첨가가 전류점멸비에 큰 영향을 주는 것을 확인하였고, 이것은 Ti의 산화력이 In과 Zn보다 뛰어나 산소결함자리의 형성을 억제하기 때문이다. Ti의 rf power가 40W일 때 가장 좋은 특성을 나타냈으며, 전류점멸비, 전자이동도, 문턱전압, subthreshold swing이 각각 $10^5$, 2.09 [$cm^2/V{cdot}s$]. 2.2 [V], 0.492 [V/dec.]로 측정되었다.
We fabricated thin film transistors (TFTs) using TiInZnO(TiIZO) thin films as active channel layer. The thin films of TiIZO were deposited at room temperature by RF-magnetron co-sputtering system from InZnO(IZO) and Ti targets. We examined the effects of titanium addition by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy and the electrical characteristics of the TFTs. The TiIZO TFTs were investigated according to the radio-frequency power applied to the Ti target. We found that the transistor on-off currents were greatly influenced by the composition of titanium addition, which suppressed the formation of oxygen vacancies, because of the stronger oxidation tendency of Ti relative to that of Zn or In. A optimized TiIZO TFT with rf power 40W of Ti target showed good performance with an on/off current ratio greater than $10^5$, a field-effect mobility of 2.09 [$cm^2/V{cdot}s$], a threshold voltage of 2.2 [V] and a subthreshold swing of 0.492 [V/dec.].
