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CMOS x-ray 라인 스캔 센서 설계
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  • CMOS x-ray 라인 스캔 센서 설계
저자명
허창원,장지혜,김려연,허성근,김태우,하판봉,김영희,Heo. Chang-Won,Jang. Ji-Hye,Jin. Liyan,Heo. Sung-Kyn,Kim. Tae-Woo,Ha. Pan-Bong,Kim. Young-Hee
간행물명
한국정보통신학회논문지
권/호정보
2013년|17권 10호|pp.2369-2379 (11 pages)
발행정보
한국정보통신학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 의료영상 뿐만 아니라 비파괴검사 등에 활용되고 있는 CMOS x-ray 라인 스캔 센서를 설계하였다. x-ray 라인 스캔 센서는 512열${ imes}$4행의 픽셀 어레이(pixel array)를 갖고 있으며, DC-DC 변환기(converter)를 내장하였다. Binning 모드를 이용하여 픽셀 사이즈가 $100{mu}m$, $200{mu}m$, $400{mu}m$이 되도록 선택할 수 있도록 하기 위해 no binning 모드, $2{ imes}2$ binning 모드와 $4{ imes}4$ binning 모드를 지원하는 픽셀 회로를 새롭게 제안하였다. 그리고 power supply noise와 입력 common mode noise에 둔감한 이미지 신호인 fully differential 신호를 출력하도록 설계하였다. $0.18{mu}m$ x-ray CMOS 이미지 센서 공정을 이용하여 설계된 라인 스캔 센서의 레이아웃 면적은 $51,304{mu}m{ imes}5,945{mu}m$ 이다.

기타언어초록

A CMOS x-ray line scan sensor which is used in both medical imaging and non-destructive diagnosis is designed. It has a pixel array of 512 columns ${ imes}$ 4 rows and a built-in DC-DC converter. The pixel circuit is newly proposed to have three binning modes such as no binning, $2{ imes}2$ binning, and $4{ imes}4$ binning in order to select one of pixel sizes of $100{mu}m$, $200{mu}m$, and $400{mu}m$. It is designed to output a fully differential image signal which is insensitive to power supply and input common mode noises. The layout size of the designed line scan sensor with a $0.18{mu}m$ x-ray CMOS image sensor process is $51,304{mu}m{ imes}5,945{mu}m$.